三星交付首批HBM4E工程样品,领跑AI高带宽内存赛道
PChome 5月29日消息,星交三星电子于今日正式向全球核心客户,付首交付业界首批12层堆叠HBM4E内存工程样品,批H品领跑进一步稳固自身在AI存储芯片领域的工I高技术龙头地位。
PChome 5月29日消息,程样三星电子于今日正式向全球核心客户,内存交付业界首批12层堆叠HBM4E内存工程样品,赛道进一步稳固自身在AI存储芯片领域的星交技术龙头地位。
性能规格上,付首全新HBM4E亮点突出,批H品领跑传输速率可达14Gbps,工I高最高可拓展至16Gbps,程样相较上代HBM4性能提升超20%,内存单堆栈带宽高达3.6TB/s。赛道12层堆叠版本容量达到48GB,星交相比上一代提升30%以上,后续还将推出8层32GB、16层64GB版本,覆盖不同层级AI算力设备需求。

在能效与散热方面,三星通过优化低功耗设计与封装结构,让HBM4E整体能效提升16%,热阻特性改善14%,能够有效降低AI数据中心高负载运行时的功耗压力与散热负担。制程上沿用成熟方案,采用第六代10纳米级1c DRAM工艺,搭配自研4纳米逻辑基底芯片,充分保障产品良率与后续量产稳定性。
量产节奏与行业竞争方面,三星早在今年2月已实现HBM4全球首家量产,HBM4E将根据英伟达、AMD、谷歌等大客户需求推进量产规划。其他两家SK海力士计划2026年下半年送样HBM4E、2027年正式量产;美光同款产品也要等到2027年推出,且需由台积电代工逻辑芯片,整体进度明显落后。

市场层面,当前HBM4单颗售价已达700美元,较HBM3E上涨20%-30%,叠加通用DRAM涨价趋势,三星在供应链议价中优势显著。HBM4E专为大语言模型和下一代AI系统量身打造,行业竞争也从以往的良率竞赛,转向定价权与规格主导权的争夺,HBM长期合约价格持续看涨。
(文中图片来源于网络)
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